[據(jù)今日半導(dǎo)體網(wǎng)站2016年7月4日報(bào)道]英國牛津儀器利用其納米實(shí)驗(yàn)室納米級生長系統(tǒng)，啟動了二硫化鉬生長工藝研究。

　　單層硫化鉬是一種直接帶隙半導(dǎo)體材料，四氟防腐在光電領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用，如發(fā)光二級光、鐵氟龍噴涂四氟防腐光伏電池、鐵氟龍噴涂光探測器、生物傳感器等，而多層二硫化鉬是一種非直接帶隙半導(dǎo)體，有望用于未來的數(shù)字電子技術(shù)。

　　牛津儀器表示，該已經(jīng)開展了廣泛的研究，對化學(xué)氣相淀積工藝進(jìn)行了優(yōu)化，開發(fā)了納米實(shí)驗(yàn)室系統(tǒng)，這一系統(tǒng)能夠處理廣泛領(lǐng)域的液態(tài)/固態(tài)/金屬-有機(jī)材料，適用于二維材料生長。鐵氟龍噴涂該系統(tǒng)能夠提供在藍(lán)寶石、原子層淀積鋁（氧化鋁和氧化硅）等各種襯底上生長的能力，也能夠淀積硫化鎢、四氟防腐二硫化鉬等二維過渡金屬硫化物。

　　該工藝的開發(fā)及其已經(jīng)經(jīng)過驗(yàn)證的成果極度令人振奮，因?yàn)榧{米實(shí)驗(yàn)室等離子處理系統(tǒng)的二維材料處理能力進(jìn)入到了一個(gè)新階段。拉曼分析表明了單層材料的高品質(zhì)，原子力顯微鏡表明了薄膜的平滑和一致性。該期待二維材料生長工藝的開發(fā)，將推動下一代納米電子器件的開發(fā)。（工業(yè)和信息化部電子科學(xué)技術(shù)情報(bào)研究所 王巍）
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